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2SJ356

MOSFieldEffectTransistors

Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=0.95(VGS=-4V,ID=-1.0A) RDS(on)=0.50(VGS=-10V,ID=-1.0A)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SJ356

MOSFieldEffectTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SJ356

P-CHANNELMOSFETFORHIGH-SPEEDSWITCHING

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

2SJ356

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

P-CHANNELMOSFET FORHIGH-SPEEDSWITCHING The2SJ356isaP-channelMOSFETofaverticaltypeandis aswitchingelementthatcanbedirectlydrivenbytheoutputofan ICoperatingat5V. ThisproducthasalowONresistanceandsuperbswitching characteristicsandisidealfordriving

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SJ356

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

2SJ356C

P-CHANNELMOSFETFORSWITCHING

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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NEC
2022
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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RENESAS/瑞薩
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NEC
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新進(jìn)庫存/原裝
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NEC
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只售原裝自家現(xiàn)貨!誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)!歡迎來電
 詢價(jià)
更多2SJ356-VB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-19 11:06:00

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