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2SJ493

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ·Superlowon-stateresistance RDS(on)1=100mW(MAX.)(VGS=–10V,ID=–8A) RDS(on)2=185mW(MAX.)(VGS

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SJ493

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=100m?(MAX.)(VGS=–10V,ID=–8A) RDS(on)2=185m?(MAX.)(VGS=–4V,ID=–8A) ?LowCiss:Ciss=

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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更多2SJ493-AZ供應商 更新時間2025-2-2 8:14:00

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