2SJ552L中文資料日立數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
2SJ552L |
功能描述 | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
文件大小 |
56.44 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Hitachi Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
Hitachi【日立】 |
中文名稱 | 日立公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-30 15:00:00 |
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Silicon P Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
? Low on-resistance
RDS(on)= 0.042? typ.
? Low drive current.
? 4V gate drive devices.
? High speed switching.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
2SJ552L
- 制造商:
HITACHI
- 制造商全稱:
Hitachi Semiconductor
- 功能描述:
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
日立 |
22+ |
262 |
25000 |
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10 |
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SOT263 |
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正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
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RENESAS |
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TO-252 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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