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2SJ607中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2SJ607
廠商型號(hào)

2SJ607

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

78.57 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-6 17:46:00

2SJ607規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

The 2SJ607 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

? Super low on-state resistance:

RDS(on)1 = 11 m? MAX. (VGS = ?10 V, ID = ?42 A)

RDS(on)2 = 16 m? MAX. (VGS = ?4.0 V, ID = ?42 A)

? Low input capacitance:

Ciss = 7500 pF TYP. (VDS = ?10 V, VGS = 0 V)

? Built-in gate protection diode

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SJ607

  • 制造商:

    KEXIN

  • 制造商全稱:

    Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

  • 功能描述:

    MOS Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
KEXIN
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
詢價(jià)
NEC
21+
TO-220
12
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NEC
24+
TO-262
503123
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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NEC
22+23+
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74980
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NEC
24+
SOT263
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NEC
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TO-263
4475
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TO263/2.5
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TO-220
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NEC
2003+
TO263-3
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