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2SJ652-1E中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SJ652-1E
廠商型號

2SJ652-1E

功能描述

P-Channel Power MOSFET

文件大小

255.5 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-19 23:00:00

2SJ652-1E規(guī)格書詳情

Features

? ON-resistance RDS(on)1=28.5mΩ(typ.)

? Input capacitance Ciss=4360pF (typ.)

? 4V drive

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SJ652-1E

  • 功能描述:

    MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    30 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    180 mA 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    4.5 Ohms

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SOT-416

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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