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2SJ661

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

2SJ661

P-ChannelPowerMOSFET

Features ?ON-resistanceRDS(on)1=29.5mΩ(typ.) ?InputcapacitanceCiss=4360pF(typ.) ?4Vdrive

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2SJ661

P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDevice

General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features ?ON-resistanceRDS(on)1=29.5mΩ(typ.) ?InputcapacitanceCiss=4360pF(typ.) ?4Vdrive

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

詳細參數(shù)

  • 型號:

    2SJ661-DL-E

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SJ661-DL-E供應商 更新時間2025-3-4 14:50:00