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2SK1109

JUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR

N-CHANNELSILICONJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR FORIMPEDANCECONVERTEROFECM DESCRIPTION The2SK1109issuitableforconverterofECM. FEATURES ?Compactpackage ?Highforwardtransferadmittance 1000μSTYP.(IDSS=100μA) 1600μSTYP.(IDSS=200μA) ?Includesdiodeandhigh

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK1109

FieldEffectTransistor

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SK1109

N-ChannelJunctionFieldEffectTransistors

■Features ●VDS(V)=20V ●ID=10mA ●Highforwardtransferadmittance 1000μsTYP.(IDSS=100μA) 1600μsTYP.(IDSS=200μA) ●IncludesdiodeandhighresistanceatG-S

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SK1109

N-CHANNELSILICONJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTORFORIMPEDANCECONVERTEROFECM

DESCRIPTION The2SK1109issuitableforconverterofECM. FEATURES ?Compactpackage ?Highforwardtransferadmittance 1000μSTYP.(IDSS=100μA) 1600μSTYP.(IDSS=200μA) ?IncludesdiodeandhighresistanceatG-S

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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更多2SK1109超小型管供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 11:00:00

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