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2SK1117中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK1117
廠商型號

2SK1117

功能描述

Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor (MOS II.I)

文件大小

65.09 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-9 20:18:00

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2SK1117規(guī)格書詳情

high-speed, high-current switching

○ For switching regulators

.

Low on-resistance. : RDS (ON)=0.95Ω (typical)

High forward transmission admittance.

| Y's|=4.0S (Standard)

Ipss=300A (max) (VDs=600V)

Low leakage current.

Easy to handle, enhancement type.

: Vth=1.5~3.5V(Vps=10V, Ip=1mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2SK1117

  • 功能描述:

    2SK1117

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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