2SK1359中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
2SK1359 |
功能描述 | Bipolar Small-Signal Transistors |
文件大小 |
1.58274 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
73 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會(huì)社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-7 16:02:00 |
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2SK1359規(guī)格書詳情
MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F
Toshiba 30F126 GT30F126
Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html
Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)
: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
2SK1359
- 功能描述:
MOSFET N-CH 1KV 5A TO-3PN
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
TO-3 |
209398 |
一級(jí)代理原裝正品,價(jià)格優(yōu)勢(shì),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | |||
TOS |
17+ |
TO-3P |
6200 |
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24+ |
2000 |
詢價(jià) | |||||
TOS |
23+ |
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5000 |
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TOSHIBA/東芝 |
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