2SK1381中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
2SK1381 |
功能描述 | Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2−pai-MOSIII) Relay Drive, Motor Drive and DC−DC Converter |
文件大小 |
444.15 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-2-6 14:03:00 |
2SK1381規(guī)格書詳情
Relay Drive, Motor Drive and DC?DC Converter Applications
● 4-V gate drive
● Low drain?source ON-resistance : RDS (ON) = 25 m? (typ.)
● High forward transfer admittance : |Yfs| = 33 S (typ.)
● Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 100 V)
● Enhancement mode : Vth = 0.8 to 2.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
產(chǎn)品屬性
- 型號:
2SK1381
- 功能描述:
MOSFET N-CH 100V 50A TO-3PN
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
-
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
2339+ |
TO-3P(N) |
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TO3P |
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TOSHIBA |
2023+ |
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