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2SK1809

Silicon N-Channel MOS FET

Features ?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Lowdrivecurrent ?Nosecondarybreakdown ?Suitableforswitchingregulator,DC-DCconverter Application Highspeedpowerswitching

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SK1809

Low on-resistance

DESCRIPTION ?DrainCurrentID=5A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage:VDSS=600V(Min) ?FastSwitchingSpeed ?Lowon-resistance ?Forswitchinggregulator,DC-DCConverter APPLICATIONS ?Highspeedpowerswitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK1809

Silicon N Channel MOS FET

Application Highspeedpowerswitching Features ?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Lowdrivecurrent ?Nosecondarybreakdown ?Suitableforswitchingregulator,DC-DCconverter

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多2SK1809供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-30 19:10:00

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