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2SK1968-E

Silicon N Channel MOS FET

Features ?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Nosecondarybreakdown ?Suitableforswitchingregulator ?Lowdrivecurrent Application Highspeedpowerswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK1968

iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ?DrainCurrent–ID=12A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?FastSwitchingSpeed ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Suitableforswitchingregulator

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SK1968

SiliconNChannelMOSFET

Features ?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Nosecondarybreakdown ?Suitableforswitchingregulator ?Lowdrivecurrent Application Highspeedpowerswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK1968

SiliconN-ChannelMOSFET

Features ?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Nosecondarybreakdown ?SuitableforSwitchingregulator ?Lowdrivecurrent Application Highspeedpowerswitching

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

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RENESAS(瑞薩)/IDT
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更多2SK1968-E供應商 更新時間2025-2-22 22:59:00

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