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2SK2221分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2SK2221
廠商型號(hào)

2SK2221

參數(shù)屬性

2SK2221 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO3P

功能描述

Silicon N-Channel MOS FET

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

39.84 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Hitachi Semiconductor
企業(yè)簡稱

Hitachi日立

中文名稱

日立公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 10:00:00

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2SK2221規(guī)格書詳情

Application

Low frequency power amplifier Complementary pair with 2SJ351, 2SJ352

? High power gain

? Excellent frequency response

? High speed switching

? Wide area of safe operation

? Enhancement–mode

? Good complementary characteristics

? Equipped with gate protection diodes

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SK2221-E

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    8A(Ta)

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 功率耗散(最大值):

    100W(Tc)

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 描述:

    MOSFET N-CH 200V 8A TO3P

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
HITACHI/日立
17+
3P
31518
原裝正品 可含稅交易
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