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2SK2315TYTR-E

Silicon N Channel MOS FET

?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Lowdrivecurrent ?2.5Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom3Vsource. ?SuitableforDC-DCconverter,motordrive,powerswitch,solenoiddrive Application Highspeedpowerswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK2315

SiliconN-ChannelMOSFET

?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Lowdrivecurrent ?2.5Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom3Vsource. ?SuitableforDC-DCconverter,motordrive,powerswitch,solenoiddrive

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SK2315

SiliconNChannelMOSFET

?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Lowdrivecurrent ?2.5Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom3Vsource. ?SuitableforDC-DCconverter,motordrive,powerswitch,solenoiddrive Application Highspeedpowerswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK2315TYTL-E

SiliconNChannelMOSFET

?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Lowdrivecurrent ?2.5Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom3Vsource. ?SuitableforDC-DCconverter,motordrive,powerswitch,solenoiddrive Application Highspeedpowerswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數

  • 型號：

    2SK2315TYTR-E

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Renesas(瑞薩)
23+
標準封裝
16928
支持大陸交貨,美金交易。原裝現貨庫存。
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SOT-89
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Renesas Electronics America
2022+
TO-243AA
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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更多2SK2315TYTR-E供應商 更新時間2024-12-29 10:00:00

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