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2SK2602

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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2SK2602

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS)

SwitchingRegulatorApplications ●Lowdrain?sourceON-resistance:RDS(ON)=0.9?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.5S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) ●Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

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Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications

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Switching Regulator Applications

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2SK2602

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK2602_06

Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications

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2SK2602_10

Switching Regulator Applications

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SK2602

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 600V 6A TO-3PN

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SK2602供應(yīng)商 更新時間2024-12-27 17:06:00

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