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2SK2606

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK2606

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SK2606

SiliconNChannelMOSTypeDC−DCConverter,RelayDriveandMotorDriveApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SK2606

DC−DCConverter,RelayDriveandMotorDriveApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SK2606

NCHANNELMOSTYPE(DC-DCCONVERTER,RELAYDRIVEANDMOTORDRIVEAPPLICATIONS)

DC?DCConverter,RelayDriveandMotorDriveApplications ●Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=1.0?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=7.0S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=640V) ●Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    2SK2606(F)

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET N-Ch 800V 8A Rdson 1.2 Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
23+
TO-3P
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TOSHIBA/東芝
2022
TO-3P
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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TOSHIBA/東芝
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NA/
51
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
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原裝正品,假一罰十
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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TOSHIBA
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TO-3P(N)
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原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu)
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更多2SK2606(F)供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-26 11:00:00