首頁>2SK2613>詳情

2SK2613_TOSHIBA/東芝_MOSFET N-CH 1KV 8A TO-3PN豪邁興二部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    2SK2613

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA

  • 庫存數(shù)量：

    4231

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-3P

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2339+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-14 17:15:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：2SK2613品牌：TOSHIBA

公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫存!

  • 芯片型號(hào)：

    2SK2613

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會(huì)社東芝

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    6 頁

  • 文件大?。?/span>

    207.77 kb

  • 資料說明：

    Switching Regulator Applications, DC-DC Converter and Motor Drive Applications

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    2SK2613

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 1KV 8A TO-3PN

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市豪邁興電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐/李先生/陳先生/豪邁興只有原裝!假一罰百!

  • 手機(jī)：

    13528737027

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82704952/0755-28227524/0755-89202071

  • 傳真：

    0755-28227524

  • 地址：

    公司：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈B座17層17I | 柜臺(tái)：深圳市華強(qiáng)北新亞洲電子二期N1B166

相近型號(hào)