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2SK2730	文件：217.21 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Lowdrivecurrent ?Avalancheratings	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK2730	文件：51.45 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Lowdrivecurrent ?Avalancheratings	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK2730-E	文件：217.21 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance ?Highspeedswitching ?Lowdrivecurrent ?Avalancheratings	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK2731	文件：112.67 Kbytes Page：4 Pages	Marking:T146;Package:SMT3;Interface and switching (30V, 200mA) Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Low-voltagedrive(4V). 4)Easilydesigneddrivecircuits. 5)Easytoparallel. Structure SiliconN-channel MOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SK2731	文件：44.05 Kbytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=0.2A ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SK2731	文件：128.06 Kbytes Page：5 Pages	Interface and switching (30V, 200mA) Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Low-voltagedrive(4V). 4)Easilydesigneddrivecircuits. 5)Easytoparallel. Structure SiliconN-channel MOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SK2731-3	文件：1.05582 Mbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=0.2A ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SK2731T146	文件：128.06 Kbytes Page：5 Pages	Interface and switching (30V, 200mA) Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Low-voltagedrive(4V). 4)Easilydesigneddrivecircuits. 5)Easytoparallel. Structure SiliconN-channel MOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
2SK2733	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
2SK2734	文件：162.38 Kbytes Page：11 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.04?typ(atVGS=10V,ID=2.5A) ?4Vgatedrivedevices. ?Largecurrentcapacitance ID=5A	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK2734	文件：46.68 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.04?typ(atVGS=10V,ID=2.5A) ?4Vgatedrivedevices. ?Largecurrentcapacitance ID=5A	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK2735	文件：39.5 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistanceRDS=20m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK2735	文件：89.91 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistanceRDS=20m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK2735L	文件：39.5 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistanceRDS=20m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK2735L	文件：89.91 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistanceRDS=20m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK2735L-E	文件：89.91 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistanceRDS=20m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK2735S	文件：39.5 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistanceRDS=20m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK2735S	文件：89.91 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistanceRDS=20m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK2735S	文件：45.49 Kbytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel MOSFET Features ●Lowon-resistance ●RDS=20mΩtyp. ●Highspeedswitching ●4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SK2735STL-E	文件：89.91 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistanceRDS=20m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
2SK273
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 500V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Box
制造商：
Renesas

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SK2730		24+		2000		詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	2SK2730	HIT	17+	TO-3P	6200		詢價(jià)
深圳市利加科技有限公司	2SK2730	HIT	16+	TO-3P	10000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市振宏微科技有限公司	2SK2730	HIT	23+	TO-3P	3000	專做原裝正品,假一罰百!	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	2SK2730	HIT	24+	TO-3P	16800	絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!?	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	2SK2730	日立	24+	TO-3P	6430	原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	2SK2730	HITACHI/日立	23+	TO-3P	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	2SK2730	HITACHI/日立	2022	TO-3P	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SK2730	日立	22+	TO-3P	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	2SK2730		HITACHI	TO-3P	608900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)

更多2SK273供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-15 10:20:00

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