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2SK2851

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.055?typ.(atVGS=10V,ID=2.5A) ?4Vgatedrivedevices. ?Largecurrentcapacitance ID=5A

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SK2851

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.055?typ.(atVGS=10V,ID=2.5A) ?4Vgatedrivedevices. ?Largecurrentcapacitance ID=5A

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK2851TZ-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.055?typ.(atVGS=10V,ID=2.5A) ?4Vgatedrivedevices. ?Largecurrentcapacitance ID=5A

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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24+
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更多2SK2851供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-29 16:30:00

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