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2SK2926L-E中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SK2926L-E
廠商型號(hào)

2SK2926L-E

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

96.02 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-28 17:59:00

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2SK2926L-E規(guī)格書詳情

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features

? Low on-resistance

RDS(on)= 0.042 ?typ.

? 4 V gate drive devices.

? High speed switching

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SK2926L-E

  • 制造商:

    Renesas Electronics

  • 功能描述:

    Tray

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    Nch MOSFET,60V,15A,42m ohm,DPAK-L

  • 制造商:

    Renesas

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(2)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Renesas
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