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2SK3112-ZJ中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK3112-ZJ
廠商型號

2SK3112-ZJ

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

244.41 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-30 9:48:00

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2SK3112-ZJ規(guī)格書詳情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The 2SK3112 is N-channel MOS FET device that features a

low on-state resistance and excellent switching characteristics,

and designed for high voltage applications such as DC/DC

converter, actuator driver.

FEATURES

? Gate voltage rating ±30 V

? Low on-state resistance

RDS(on) = 110 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 13 A)

? Low input capacitance

Ciss = 1600 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS = 0 V)

? Avalanche capability rated

? Built-in gate protection diode

? Surface mount device available

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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