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2SK3113B-ZK-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The2SK3113BisN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowgatechargeandexcellentswitchingcharacteristics,anddesignedforhighvoltageapplicationssuchasswitchingpowersupply,ACadapter. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)=4.4ΩMAX.(VGS=10V,ID=1.0A)

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SK3113B-ZK-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3113BisN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowgatechargeandexcellentswitching characteristics,anddesignedforhighvoltageapplicationssuchasswitchingpowersupply,ACadapter. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(o

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多2SK3113B-ZK-E2-AY供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 10:04:00

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