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2SK3130中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SK3130
廠商型號(hào)

2SK3130

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSV)

文件大小

203.88 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-15 15:43:00

2SK3130規(guī)格書詳情

Switching Regulator Applications

? Reverse-recovery time: trr = 85 ns

? Built-in high-speed flywheel diode

? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.12 ? (typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.0 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 600 V)

? Enhancement model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SK3130

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS Type

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA
2020+
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