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2SK3157-E中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SK3157-E
廠商型號(hào)

2SK3157-E

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

89.03 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-3 14:30:00

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2SK3157-E規(guī)格書詳情

? Low on-resistance RDS= 50 m? typ.

? High speed switching

? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SK3157-E

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 150V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Box

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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