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2SK316	文件：212.62 Kbytes Page：6 Pages	SI N CHANNEL JUCTION 2SK247SiN-ChannelJunction1Page Wide-Band,Low-NoiseAmplifier 2SK301SiN-ChannelJunction3Page AFAmplifier,Switching 2SK316SiN-ChannelJunction5Page VideCameraFirstStageAmplifier	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
2SK3160	文件：51.66 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features 1.Lowon-resistanceRDS=130m?typ. 2.Highspeedswitching 3.4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3160	文件：88.2 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS=130m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3160-E	文件：88.2 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS=130m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3161	文件：55.18 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistanceRDS=90m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3161	文件：94.7 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS=90m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3161-E	文件：94.7 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS=90m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3161L	文件：55.18 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistanceRDS=90m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3161S	文件：55.18 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistanceRDS=90m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3161STL-E	文件：94.7 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS=90m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3162	文件：88.07 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS=60m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3162	文件：46.57 Kbytes Page：9 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS=60m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3162-E	文件：88.07 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS=60m?typ. ?Highspeedswitching ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3163	文件：48.56 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=6m?typ. ?Lowdrivecurrent ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3163	文件：88.62 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=6m?typ. ?Lowdrivecurrent ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3163-E	文件：88.62 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features ?Lowon-resistance RDS(on)=6m?typ. ?Lowdrivecurrent ?4Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3160	文件：1.01255 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
2SK3160	文件：324.73 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SK3160_15	文件：108.27 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3161(L)_15	文件：114.79 Kbytes Page：11 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
2SK316
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	2SK316	Panasonic(松下)	23+	SMD	31768	免費(fèi)送樣,賬期支持,原廠直供,沒有中間商賺差價(jià)	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SK316	PANASONIC/松下	20+	SOT-23	120000	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	2SK316	PANASONIC/松下	24+	SOT23	7906200	一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	2SK316	PANASONI	23+	SOT-23	31000	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	2SK316	PANASONIC	24+	SOT-23	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳誠(chéng)思涵科技有限公司	2SK316	PANASONIC	18+	SOT-23	85600	保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票	詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	2SK316	PANASONIC	23+	SOT-23	63000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	2SK316	PANASONIC	2023+	SMD	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司	2SK316	PANASONIC/松下	22+	SOT-23	9600	原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	2SK316	PANASONIC	2023+	SOT-23	50000	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多2SK316供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-15 15:03:00

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