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2SK3229-E中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SK3229-E
廠商型號(hào)

2SK3229-E

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

53.29 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-7 23:11:00

2SK3229-E規(guī)格書詳情

Features

? Low on-resistance

RDS (on) = 6 m? typ.

? Low drive current

? 4 V gate drive device can be driven from 5 V source

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SK3229-E

  • 制造商:

    Renesas

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 80V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220CFM Magazine

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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