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2SK3234-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features ?Lowon-resistance:RDS(on)=0.65?typ. ?Lowleakagecurrent:IDSS=1μAmax(atVDS=500V) ?Highspeedswitching:tf=25nstyp(atVGS=10V,VDD=250V,ID=4A) ?Lowgatecharge:Qg=25nCtyp(atVDD=400V,VGS=10V,ID=8A) ?Avalancheratings

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3234

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowon-resistance:RDS(on)=0.65?typ. ?Lowleakagecurrent:IDSS=1μAmax(atVDS=500V) ?Highspeedswitching:tf=25nstyp(atVGS=10V,VDD=250V,ID=4A) ?Lowgatecharge:Qg=25nCtyp(atVDD=400V,VGS=10V,ID=8A) ?Avalancheratings

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3234

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK3234

2SK3234

Features ?Lowon-resistance:RDS(on)=0.65Ωtyp. ?Lowdrainblockingcurrent:IDSS=1μAmax(atVDS=500V) ?Fastswitchingspeed:tf=25nstyp(atVGS=10V,VDD=250V,ID=4A) ?Lowinputdynamiccapacity(Qg):Qg=25nCtyp(VDD=400V,VGS=10V,ID=8A) ?AvalancheW

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

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更多2SK3234-E供應(yīng)商 更新時間2025-1-31 23:00:00

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