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2SK3326B中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK3326B
廠商型號(hào)

2SK3326B

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

345.43 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-16 15:56:00

2SK3326B規(guī)格書詳情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

The 2SK3326B is N-Channel MOSFET device that features a low gate charge and excellent switching characteristics,

and designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter.

FEATURES

? Low gate charge

QG = 20 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 10 A)

? Gate voltage rating : ±30 V

? Low on-state resistance

RDS(on) = 0.85 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 5.0 A)

? Avalanche capability ratings

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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