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2SK3386(0)-Z-E1-AZ

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個 描述:TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

2SK3386

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3386isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?LowOn-stateResistance RDS(on)1=21mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=17A) ?LowCi

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3386

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK3386

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

2SK3386

MOSFieldEffectTransistor

Features ●Lowon-resistance RDS(on)1=21mMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=36mMAX.(VGS=4.0V,ID=17A) ●LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SK3386

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK3386isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?LowOn-stateResistance RDS(on)1=21m?MAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=36m?MAX.(VGS=4.0V,ID=17A) ?LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ?Built

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SK3386-Z

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3386isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?LowOn-stateResistance RDS(on)1=21mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=17A) ?LowCi

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3386-Z

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

2SK3386-Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK3386-Z

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION The2SK3386isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?LowOn-stateResistance RDS(on)1=21m?MAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=36m?MAX.(VGS=4.0V,ID=17A) ?LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ?Built

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2SK3386(0)-Z-E1-AZ

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    34A(Tj)

  • 描述:

    TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Renesas Electronics America
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