首頁 >2SK3386(0)-Z-E1-AZ>規(guī)格書列表
零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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2SK3386(0)-Z-E1-AZ | 包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個 描述:TRANSISTOR | Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3386isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?LowOn-stateResistance RDS(on)1=21mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=17A) ?LowCi | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
N-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
MOSFieldEffectTransistor Features ●Lowon-resistance RDS(on)1=21mMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=36mMAX.(VGS=4.0V,ID=17A) ●LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3386isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?LowOn-stateResistance RDS(on)1=21m?MAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=36m?MAX.(VGS=4.0V,ID=17A) ?LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ?Built | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3386isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?LowOn-stateResistance RDS(on)1=21mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=17A) ?LowCi | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司 | DOINGTER | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3386isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?LowOn-stateResistance RDS(on)1=21m?MAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=36m?MAX.(VGS=4.0V,ID=17A) ?LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ?Built | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
2SK3386(0)-Z-E1-AZ
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
34A(Tj)
- 描述:
TRANSISTOR
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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Renesas Electronics America |
2022+ |
- |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
RENESAS |
24+ |
con |
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RENESAS |
24+ |
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