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2SK3390	文件：78.47 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features ?Highpoweroutput,Highgain,Highefficiency PG=17dB,Pout=6.31W,ηadd=60min.(f=836MHz) ?Compactpackagecapableofsurfacemounting	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SK3390	文件：180.61 Kbytes Page：12 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features ?Highpoweroutput,Highgain,Highefficiency PG=17dB,Pout=6.31W,ηadd=60min.(f=836MHz) ?Compactpackagecapableofsurfacemounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3390IXTB-E	文件：180.61 Kbytes Page：12 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features ?Highpoweroutput,Highgain,Highefficiency PG=17dB,Pout=6.31W,ηadd=60min.(f=836MHz) ?Compactpackagecapableofsurfacemounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3391	文件：62.73 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features ?Highpoweroutput,Highgain,Highefficiency ???PG=18dB,Pout=1.6W,ηadd=58min.(f=836MHz) ?Compactpackagecapableofsurfacemounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3391JX	文件：62.73 Kbytes Page：5 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features ?Highpoweroutput,Highgain,Highefficiency ???PG=18dB,Pout=1.6W,ηadd=58min.(f=836MHz) ?Compactpackagecapableofsurfacemounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3396	文件：72.17 Kbytes Page：3 Pages	Silicon N-Channel Junction FET SiliconN-ChannelJunctionFET Forimpedanceconversioninlowfrequency Forinfraredsensor ■Features ?Lowgate-sourcecutoffcurrentIGSS ?Smallcapacitanceofshort-circuitforwardtransfercapacitance(commonsource)Ciss,short-circuitoutputcapacitance(commonsource)Coss,revers	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
2SK3397	文件：96.57 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) RelayDriveandDC-DCConverterApplications MotorDriveApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=4.0m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=110S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) ?Enhancementmode:Vth=1.5to3.0V(VDS=10V,	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SK3398	文件：217.72 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator and DC-DC Converter Applications SwitchingRegulatorandDC-DCConverterApplications MotorDriveApplications ?Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=0.4?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=9.0S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=500V) ?Enhancement-mode:Vth=2.0to4.0V(VDS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SK3398	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SK3399	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SK3399	文件：497.76 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=0.54?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.2S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=600V) ?Enhancementmode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SK3391_07	文件：150.86 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3391JXTL-E	文件：150.86 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3397	文件：214.65 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Relay Drive and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SK3397	文件：210.05 Kbytes Page：6 Pages	Relay Drive and DC-DC Converter Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SK3397_06	文件：214.65 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Relay Drive and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SK3397_09	文件：210.05 Kbytes Page：6 Pages	Relay Drive and DC-DC Converter Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SK3398	文件：190.92 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SK3398_06	文件：190.92 Kbytes Page：6 Pages	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SK3399	文件：215.06 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA

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詳細參數(shù)

型號：
2SK339
制造商：
HITACHI
制造商全稱：
Hitachi Semiconductor
功能描述：
Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導體有限公司	2SK3390		24+		60000		詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	2SK3390	HIT	24+	SOT-89	16800	絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!	詢價
深圳市鵬和科技有限公司	2SK3390IX	RENESAS	24+	RP8P	5000	全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市振宏微科技有限公司	2SK3390IXTB-E	RENESAS	23+	NA	829	專做原裝正品,假一罰百!	詢價
深圳市仟禧電子有限公司	2SK3390IXTB-E	RENESAS/瑞薩	22+	RP8P	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團有限公司	2SK3390IXTB-E	RENESAS	21+	RP8P	15210	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市星佑電子有限公司	2SK3390IXTB	MIT	21+	RP8P	20000	全新原裝公司現(xiàn)貨價優(yōu)	詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	2SK3390IXTB-E超小型管	RENESAS/瑞薩	23+	RP8P	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市吉銀科技有限公司	2SK3390IXTB-E	RNS	1535+		543		詢價
深圳廊盛科技有限公司	2SK3390IXTB-E超小型管	RENESAS/瑞薩	2022	RP8P	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價

更多2SK339供應(yīng)商更新時間2025-1-18 16:30:00

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