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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3434isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=24A) ?Lo | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
MOSFieldEffectTransistor Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20m?MAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=31m?MAX.(VGS=4V,ID=24A) ●LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3434isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20m?MAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=31m?MAX.(VGS=4.0V,ID=24A) ?LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ?Built-ing | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社 | NEC | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3434isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20m?MAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=31m?MAX.(VGS=4.0V,ID=24A) ?LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ?Built-ing | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社 | NEC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3434isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=24A) ?Lo | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3434isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=20m?MAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=31m?MAX.(VGS=4.0V,ID=24A) ?LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ?Built-ing | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社 | NEC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3434isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=24A) ?Lo | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3434isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=10V,ID=24A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=24A) ?Lo | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
N-ChannelMOSFET ■Features ●VDSS=60V ●ID=48A(VGS=10V) ●RDS(ON) | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號:
2SK3434-AZ
- 制造商:
Renesas Electronics Corporation
- 制造商:
Renesas Electronics Corporation
- 功能描述:
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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Renesas |
21+ |
40 |
全新原裝鄙視假貨15118075546 |
詢價(jià) | |||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
5177 |
深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | |||
RENESAS/瑞薩 |
TO-220AB |
22+ |
56000 |
全新原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
2022 |
TO-220 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
NA/ |
4459 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價(jià) | ||
RENESAS丨全系列供應(yīng) |
23+ |
RENESAS丨全系列供應(yīng) |
5000 |
原廠授權(quán)代理分銷現(xiàn)貨只做原裝正邁科技樣品支持現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
2020+ |
6500 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | |||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
NA |
5000 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道??商峁┐罅繋齑?詳 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
TO-262 |
8866 |
詢價(jià) |
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