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2SK3481

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3481isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=58mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?L

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瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3481

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SK3481

MOSFieldEffectTransistor

Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=58mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ●LowCiss:Ciss=2300pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SK3481

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION The2SK3481isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=50m?MAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=58m?MAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?LowCiss:Ciss=2300pFTYP. ?

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3481isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=58mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?L

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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

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更多2SK3481(0)-Z-E1-AZ供應商 更新時間2025-1-23 10:33:00