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2SK3481

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3481isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=58mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?L

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3481

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK3481

MOSFieldEffectTransistor

Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=58mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ●LowCiss:Ciss=2300pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SK3481

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION The2SK3481isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=50m?MAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=58m?MAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?LowCiss:Ciss=2300pFTYP. ?

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SK3481-S

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3481isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=58mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?L

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2SK3481-S

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION The2SK3481isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=50m?MAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=58m?MAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?LowCiss:Ciss=2300pFTYP. ?

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK3481-Z

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION The2SK3481isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=50m?MAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=58m?MAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?LowCiss:Ciss=2300pFTYP. ?

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3481isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=58mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?L

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3481isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=50mΩMAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=58mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?L

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

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無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION The2SK3481isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=50m?MAX.(VGS=10V,ID=15A) RDS(on)2=58m?MAX.(VGS=4.5V,ID=15A) ?LowCiss:Ciss=2300pFTYP. ?

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SK3481-AZ

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS
23+
三極管
2055
原裝進口特價中價格優(yōu)勢現(xiàn)貨實單咨詢※※正邁科技
 詢價
RENESAS/瑞薩
2020+
9500
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
RENESAS/瑞薩
22+
MP-25TO-220
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
RENESAS/瑞薩
23+
5055
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳
 詢價
Renesas
21+
2055
全新原裝鄙視假貨15118075546
 詢價
Renesas Electronics America
2022+
TO-220-3
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
RENESAS/瑞薩
TO-220
22+
56000
全新原裝進口,假一罰十
 詢價
NEC
TO-220
貨真價實,假一罰十
25000
詢價
NEC
22+
TO-220
40256
本公司只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
NEC
2022+
TO220
57550
詢價
更多2SK3481-AZ供應(yīng)商 更新時間2025-1-3 9:12:00

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