2SK3506中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	2SK3506
功能描述	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
文件大小	164.65 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量	3 頁(yè)
生產(chǎn)廠商	Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱	TOSHIBA【東芝】
中文名稱	株式會(huì)社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間	2025-1-23 23:00:00

Relay Drive and DC-DC Converter Applications

Motor Drive Applications

? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 16 m? (typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 26 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 30 V)

? Enhancement-model: Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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