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2SK3565中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK3565
廠商型號

2SK3565
功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOS4)
文件大小

341.87 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA【東芝】

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-6 17:56:00

2SK3565規(guī)格書詳情

Switching Regulator Applications

? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 2.0 ? (typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.5 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 720 V)

? Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    2SK3565

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 900V 5A Rdson 2.5 Ohm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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