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2SK3575中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK3575
廠商型號

2SK3575

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

226.41 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-28 11:40:00

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2SK3575規(guī)格書詳情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3575 is N-channel MOS FET device that

features a low on-state resistance and excellent switching

characteristics, designed for low voltage high current

applications such as DC/DC converter with synchronous

rectifier.

FEATURES

?4.5V drive available

?Low on-state resistance

RDS(on)1 = 4.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A)

?Low gate charge

QG = 70 nC TYP. (VDD = 24 V, VGS = 10 V, ID = 83 A)

?Avalanche capability ratings

?Surface mount device available

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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