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2SK3617

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

2SK3617D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=225mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK3617I

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=225mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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2800
正品原裝貨價(jià)格低
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更多2SK3617-E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-23 15:08:00