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2SK3617

General-PurposeSwitchingDeviceApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

2SK3617D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=225mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SK3617I

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=225mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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更多2SK3617-S-TL-E供應商 更新時間2025-1-23 14:02:00