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2SK3666-2-TB-E

Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

2SK3666-2-TB-E

N-Channel JFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SK3666-2-TB-E

  • 功能描述：

    MOSFET SWITCHING DEVICE

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON
2024
SOT23-3
58209
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量
 詢價
ON
11+
2950
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
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ONSemiconductor
18+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
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三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
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ON
20+
SMD
11520
特價全新原裝公司現(xiàn)貨
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ON/安森美
24+
SMD
9000
原裝現(xiàn)貨
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ON Semiconductor
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SOT23-3
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更多2SK3666-2-TB-E供應(yīng)商 更新時間2024-12-27 17:06:00

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