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2SK3762中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2SK3762
廠商型號(hào)

2SK3762

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

文件大小

90.42 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

TOSHIBA東芝

中文名稱(chēng)

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-19 12:20:00

2SK3762規(guī)格書(shū)詳情

Switching Regulator Applications

? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 5.6Ω (typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.0 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS = 100 μ A (VDS = 720 V)

? Enhancement-mode: V th = 2.0~4.0 V (V DS = 10 V, ID = 1 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SK3762

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    MOSFET N 900V TO-220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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