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2SK3767

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=2.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK3767

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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SwitchingRegulatorApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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SiliconNChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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SiliconNChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications

SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=3.3Ω(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=1.6S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(VDS=600V) ?Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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