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2SK3813

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The2SK3813isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=7.1mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=5500pF

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SK3813

MOS Field Effect Transistor

Features LowOn-stateresistance RDS(on)1=5.3m?MAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=7.1m?MAX.(VGS=4.5V,ID=30A) LowCiss:Ciss=5500pFTYP.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SK3813

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.3mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SK3813

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3813isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=7.1mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=30A)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3813-Z

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The2SK3813isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=7.1mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=5500pF

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SK3813-Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.3mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SK3813-Z

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3813isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=7.1mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=30A)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3813_15

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3813(0)-Z-E1-AZ

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

2SK3813-Z-E1-AZ

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：TRANSISTOR

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SK3813

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NEC
24+
TO-251
8866
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NEC
23+
TO-251
7600
全新原裝現(xiàn)貨
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NEC
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RENESAS/瑞薩
23+
TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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SOT252
14680
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RENESAS/瑞薩
22+
TO-252
50000
只做原裝假一罰十,歡迎咨詢
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更多2SK3813供應商 更新時間2025-1-22 10:50:00

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