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2SK3900-ZP

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3900isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=41A) ?

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3900-ZP

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The2SK3900isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.0m?MAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=10m?MAX.(VGS=4.5V,ID=41A) ?LowCiss:Ciss=3500

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

2SK3900-ZP

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK3900

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3900isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=41A) ?

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SK3900

MOSFieldEffectTransistor

Features LowOn-stateresistance RDS(on)1=8.0mùMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=10mùMAX.(VGS=4.5V,ID=41A) LowCiss:Ciss=3500pFTYP.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SK3900

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION The2SK3900isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.0m?MAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=10m?MAX.(VGS=4.5V,ID=41A) ?LowCiss:Ciss=3500

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

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更多2SK3900-ZP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-8 14:00:00

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