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2SK4013

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SK4013

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SK4013

SwitchingRegulatorApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SK4013

SiliconNChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications

SwitchingRegulatorApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=1.35?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.0S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=640V) ?Enhancement-model:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SK4013(Q)

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch FET VDSS 800V RDS 1.35 Ohm Yfs 5.0

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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更多2SK4013(Q)供應商 更新時間2025-1-7 18:34:00

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