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2SK4106中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK4106
廠商型號

2SK4106

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)

文件大小

181.8 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-9 23:00:00

2SK4106規(guī)格書詳情

Switching Regulator Applications

? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.4 Ω (typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)

? Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
23+
NA/
1201
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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2020+
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TOSHIBA/東芝
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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24+
TO-220F
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全新原裝環(huán)?,F(xiàn)貨
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TOS
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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