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2SK579

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

2SK579

HIGHSPEEDPOWERSWITCHING

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HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SK579L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=1.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=450V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SK579L

HIGHSPEEDPOWERSWITCHING

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HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SK579S

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

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HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

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更多2SK579(L供應商 更新時間2025-3-10 19:10:00