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2SK811

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SK811

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

FASTSWITCHINGN-CHANNELSILICONPOWERMOSFET Features Suitableforswitchingpowersupplies, actuatercontrols,andpulsecircuits 4VGateDrive-Logiclevel- LargeCurrentSwitching:ID(DC)=12A LowRDS(on) Nosecondbreakdown

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

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更多2SK811-Y供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 10:50:00