2STX2220分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
2STX2220 |
參數(shù)屬性 | 2STX2220 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA);包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 20V 1.5A TO92-3 |
功能描述 | High Gain Low Voltage PNP Power Transistor |
封裝外殼 | TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) |
文件大小 |
235.49 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
中文名稱 | 意法半導體集團官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-15 8:49:00 |
2STX2220規(guī)格書詳情
2STX2220屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的2STX2220晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術。
Description
The device in a PNP transistor manufactured using new “PB-HDC” (Power Bipolar High Density Current) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
General features
■ Very low Collector to Emitter saturation voltage
■ D.C. Current gain, hFE >100
■ 1.5 A continuous collector current
■ In compliance with the 2002/93/EC European Directive
Applications
■ Power management in portable equipment
■ Switching regulator in battery charger applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
2STX2220
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
450mV @ 150mA,1.5A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 100mA,2V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA)
- 供應商器件封裝:
TO-92-3
- 描述:
TRANS PNP 20V 1.5A TO92-3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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