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30J121中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

30J121
廠商型號

30J121

功能描述

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

文件大小

294.93 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-30 16:42:00

30J121規(guī)格書詳情

High Power Switching Applications

Fast Switching Applications

? Fourth-generation IGBT

? Enhancement mode type

? Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)

High speed: tf = 0.05 μs (typ.)

Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ.) : Eoff = 0.80 mJ (typ.)

? Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ.)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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