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30N06VG-TM3-T

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC30N06V-QisalowvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedatautomotiveapplicationsinpowersupplies,

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

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更多30N06VG-TM3-T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-20 14:02:00